2DEG相关论文
第三代半导体的代表性材料GaN具有优异的性能,如较大禁带宽度、较高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀、抗辐射等,是制作高频、高温、......
氮化镓系材料是重要的第三代半导体材料,以其优良的性能广泛应用于航空航天、国防军工、生活消费当中。InAlN/GaN异质结构是应用于......
第三代半导体中氮化铟（In N）、氮化镓（Ga N）、氮化铝（Al N）和由其组成的多元合金化合物等III族氮化物的研究最为广泛,该类材料统称为Ga N......
材料的物理性能与表面结构和性质密切相关,引入缺陷的表面改性方式会对材料物理性能产生显著的影响。由于过渡金属氧化物具有结构......
InAlN/GaN heterstructures have attracted general attention due to their high spontaneous polarization and the possibilit......
Surface molecule and atom adsorption behaviors in LAO/STO heterointerface have been investigated with density functional......
Modulation of crystal structure and electronic structure in the p-type interface of (LaAlO3)m/(PbTiO
In the SL or heterostructure (HS),it usually displays many new curious properties different from the constituting bulk m......
GaAs基半导体材料凭借着其优良的性能,促使GaAs PHEMT（Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,赝高电子迁移率晶体管）器......
近几年来,基于二维约瑟夫森结的热传导由于其广泛的应用前景引起了不少科研工作者的关注。由于约瑟夫森结产生的热流是结两侧超导......
First-principles calculations are performed to explore the possibility of generating the two-dimensional electron gas (2......
Influence of annealed ohmic contact metals on electron mobility of strained AlGaN/GaN heterostructur
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Simulation of electrical properties of InxAl1-xN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure
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期刊
A new depletion-mode gate recessed AlGaN/InGaN/GaN-high electron mobility transistor(HEMT)with 10 nm thickness of InGaN-......
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A 2DEG charge density based drain current model for various Al and In molefraction mobility dependen
We present a two-dimensional electron gas(2DEG) charge-control mobility variation based drain current model for sheet ca......
Model development for analyzing 2DEG sheet charge density and threshold voltage considering interfac
A model predicting the behavior of various parameters, such as 2DEG sheet charge density and threshold voltage, with the......
Impact of barrier thickness on gate capacitance——modeling and comparative analysis of GaN based MOSH
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We have developed a physics based analytical model for the calculation of threshold voltage, two dimensional electron ga......
用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 (0 0 0 1)蓝宝石衬底上生长了AlxGa1 xN/GaN二维电子气 (2DEG)结构。Al0 13Ga0 87N (70 0n......
为了进一步提高GaN HEMT器件的击穿电压,并保持低的导通电阻,文中提出了一种具有N型GaN埋层的AlGaN/GaN HEMT。该埋层通过调整器件......
表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs量子阱表面沿一维电子通道方向传播时,可诱导产生声电电流.由于GaAs/AlxGa1-xAs材料的压电效应,伴......
从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG......
摘要：采用了雷丁平衡方程描述GaN/AlGaN中2DEG系统，总结GaN基异质结中2DEG的散射机制，主要的散射机制有电离杂质散射、压电散射及合金......
在晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质外延上制备了TLM测试结构,通过提取方块电阻计算不同温度(100-525 K)的迁移率,并采用多种散射模......
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN／GaN异质结材料制作的HEMT，器件功率输出密度达4W／mm。通过材料结构及生长条件的......
通过利用MOCVD生长的高质量蓝宝石衬底InAlN/AlN/GaN异质结材料,获得了高的二维电子气面密度,其值为1.65×1013cm-2。通过该结......
用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检......
考虑到界面态影响，通过求解泊松方程，推导出了HEMT中二维电子气的电子密度表达式，对文献未考虑界面态影响的HEMT中二维电子气的电子密......
在一定的边界条件近似下,通过联立求解泊松和薛定谔方程,利用电荷控制模型对赝型高电子迁移率器件(p-HEMT)进行了模拟,分析了器件......
AIGaN／GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从......
通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺，获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层．同时通过优化AlGaN／GaN异质结材料中AlN插入层......
采用高温Hall测量仪对一个全应变和一个部分应变弛豫的AlGaN/GaN异质结构中2DEG的高温输运特性进行了研究,温度变化范围从室温到68......
应用准经典粒子理论和量子力学测不准关系，得到了在三角形势阱中二维电子气的能级宽度，基于这个计算结果，发现三角形势阱中的二维电子......
从玻尔-索末菲量子化条件出发,以抛物线势阱为模型,建立了硅MOS结构表面反型层中二维电子气能级E满足的超越方程,并从该方程得到了......
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气（2DEG）材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维......
应用波函数展开方法,自洽计算了调制掺杂AlGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱中电势能分布、子能级位置、2DEG浓度分布和2DEG面浓度n_s,以及......
通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量，研究了蓝宝石衬底AIGaN／GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流......
采用RF-MBE技术，在蓝宝石衬底上生长了高Al组分势垒层AlGaN／GaNHEMT结构．用三晶X射线衍射分析得到AlGaN势垒层的Al组分约为43％，异质结构......
评术字制备纳米级掺杂结超晶格材料的ＭＢＥ技术，给出了材料性能和器件研制结果，从微结构设计出发，研究了平面掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ（Ｇａ）Ａｓ超晶格结构二维电子气有关......
由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率......
GaN是一种宽禁带半导体材料，由于具有优越的热稳定性和化学稳定性，使这种材料和与其相关的器件可以工作在高温和恶劣的环境中，并可用......
文章从晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基异质结构效应晶体管(HFET)的极化效应,二维电子气(2DEG)的源、产生,极化对2DEG的影......
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We theoretically present the intrinsic limits to electron mobility in the modulation-doped Al Ga N/Ga N two-dimensional ......
主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化。在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原......
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